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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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